众所周知，目前美国正在对中国芯片产业进行最为严厉打压。

中国芯接下来的突破方向：让7nm芯片，比3nm性能更强

按照美国的目标，锁死逻辑芯片在14nm工艺，DRAM内存在18nm，而NAND闪存在128层。任何比这些技术更先进的设备，是限制进入中国市场的。

当然，在美国限制之前，国内也有一些厂商，买到了部分先进的设备，但产量不太高，所以也部分突破了限制，比如逻辑芯片，肯定不再是14nm了。

不过，就当前的形势来看，接下来中国芯的努力方向，可能还是怎么样让7nm的芯片，比3nn芯片性能更强。

别把这当玩笑话，而是实情确实如此。

之前华为董事张平安，就说过，我们得不到5nm、3nm，搞定7nm就很好了，我们的创新方向不能在单点的芯片工艺上，我们的创新方向应该在系统架构上。

其实他的话，说的非常清楚了，目前由于我们没有EUV光刻机，短时间之内，国产EUV光刻机也不可能研发的出来，所以进入5nm及以下，基本是是没戏的。

我们能够生产的，其实也就是7nm芯片，这就是当前比较好的结果了。

但相比于5nm、3nm、2nm，7nm芯片的工艺肯定是落后一些，我们就不要去想着卷工艺，而是在系统架构上去创新了，让7nm芯片，媲美5nm、3nm这些。

何谓系统架构上创新？一是采用更好的晶体管结构，比如3D的、立体的等等，二是采用更好的封装技术，比如层叠、堆叠、立体封装等。或者采用小芯片技术，将众多的芯片组在一起这些。还可以采用新材料，比如碳基芯片，光电芯片等。

事实上，目前芯片行业本身，也在探索这些技术，因为目前的芯片工艺已经接近物理极限了，很难持续不断的缩小了，接下来就是使用新材料，新架构等，在芯片没有变化的情况之下，实现性能的提升。

而华为之前的麒麟9000S、麒麟9010也证明了这一点是可行的， 因为这两款芯片不是5nm工艺的，性能上却不输给5nm的高通、联发科芯片。

所以说，接下来，国产芯片的目标，并不是一定强求去突破5nm、3nm、2nm这些，而是立足已经实现的7nm，再进行挖掘，让其可以和5nm、3nm媲美。

至于工艺微缩前进，也不放弃，但却不是死磕不放，而是多方向走路，相互结合，相互前进，你觉得呢？