导语：随着AI兴起，三星、SK 海力士与美光等存储器巨头纷纷将HBM视为重点生产产品之一。
AI 芯片龙头英伟达周三 (11 日) 收高 2.7% 至每股 134.91 美元，连 4 个交易日走涨，市值站稳 3.23 兆美元，持续走涨的背后少不了两大关键技术支援，分别是台积电(2330-TW) (T *** -US) 主导的 CoWoS 先进封装，以及席卷当下的高频宽存储器 (HBM)。英伟达更先进的 H200 芯片是首个采用 HBM3E 存储器规格的 AI 加速器。
随着 AI 兴起，三星、SK 海力士与美光 (MU-US) 等存储器巨头纷纷将 HBM 视为重点生产产品之一。
HBM 的火热给市场掀起巨 *** 澜，也带来三大影响。首先，HBM 成为力挽存储器芯片产业下行的重要关键词之一，另外也可能造成通用 DRAM 缺货涨价，最后则是使得技术领域的争夺战日益激烈。
根据产品分类，DRAM 可以分为 DDR、LPDDR、GDDR、HBM。前三类产品主要用于传统周期领域，HBM 则主要是 AI 市场的带动，其中 DDR 主要用于消费电子、服务器、PC 领域，LPDDR 主要用于行动装置、手机及汽车领域，GDDR 主要用于图像处理方面的 GPU 等。
HBM1 最早于 2014 年由超为与 SK 海力士共同推出，为 4 层 die 堆叠，提供 128GB/s 频宽，4GB 存储器，显著优于同期产品 GDDR5。HBM2 于 2018 年正式推出，为 4 层 DRAMdie，现在多为 8 层 die 堆叠，提供 256GB/s 频宽，2.4Gbps 传输速度，和 8GB 存储器。
HBM3 则于前年正式推出，堆叠层数及管理通道数均有增加，提供 6.4Gbps 传输速度，传送速率更高可达 819GB/s，和 16GB 存储器。HBM3E 则是由 SK 海力士所发布 HBM3 的增强版，提供高达 8Gbps 的传送速率，24GB 容量，2024 年开始大规模量产。
根据 SK 海力士、三星与美光三巨头表示，今年的 HBM 供应能力已全部耗尽，明年产能也已大部分售罄。
因此，上述三大厂商纷纷开启产能冲刺竞赛，SK 海力士正大幅扩产第 5 代 1b DRAM，以应对 HBM 与 DDR5 DRAM 的需求增加。按照晶圆投入量看，SK 海力士打算将 1b DRAM 月产能从今年首季的 1 万片增加到今年底的 9 万片，明年上半年则将进一步提升至 14 万到 15 万片，是今年首季产能的 14 到 15 倍。
三星在今年 3 月底也曾说，今年 HBM 产能料将增至去年的 2.9 倍，美光也正在美国建设先进的 HBM 测试生产线，并考虑首次在马来西亚生产 HBM，以抓住 AI 热潮带来的更多需求。
在上述三巨头的竞争中，由于 SK 海力士 HBM3 产品性能领先，率先拿下英伟达订单，成其主要供应商，三星则主攻一些云端客户的订单，美光则直接跳过 HBM3，将主要精力放在 HBM3E 产品上。
三巨头在扩大产能上均不留余力，SK 海力士打算在 2028 年投资高达 748 亿美元，其中 80% 将用于 HBM 的研发和生产，而且将下一代 HBM4 芯片的量产时间提前到明年。
根据专业机构分析，今明两年 HBM 需求的动态缺口约为产能的 5.5% 和 3.5%，但海豚投研的数据显示，HBM 有望从去年底的供不应求，到今年底变为“供大于求”。
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